1. 引言 氮化铝（AlN）是一种具有优异性能的宽禁带半导体材料，具有高热导率、高电子迁移率和优异的热稳定性。AlN晶体管作为一种新型的半导体器件，在高频电子设备和功率电子应用领域具有广阔的应用前景。近期，科学家们取得了重要突破，成功操作了AlN晶体管，这将进一步推动AlN晶体管的研究和应用。 2. AlN晶体管的结构和制备 AlN晶体管的结构由AlN晶体材料构成，其制备过程包括材料生长、晶体取向和器件加工等步骤。通过金属有机化学气相沉积（MOCVD）或分子束外延（MBE）等方法生长AlN晶体